鈮酸鋰(LiNbO3) 廣泛用于Nd:YAG、Nd:YLF和Ti:Sapphire激光器的電光調制器和Q開關,以及光纖調制器等。LiNbO3晶體主要用于橫向調制。LiNbO3晶體還廣泛用于波長大于1um的倍頻器、1064nm泵浦的光參量振蕩器(OPO)以及準相位匹配(QPM)器件。
貨號 :
LiNbO3主要特點:
較大的電光(EO)系數(shù)
較大的聲光(AO)系數(shù)
典型應用:
規(guī)格:
尺寸公差
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±0.1mm
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角度公差
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±0.5°
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波前畸變
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<λ/4 @ 633nm
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面型
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<λ/8 @ 633 nm
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光潔度
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20/10
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平行度
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< 20″
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垂直度
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< 5′
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通光孔徑
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> 中部 90%
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增透膜
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雙面雙波段增透膜@1064/532 nm,
使用 R < 0.2% @ 1064 nm 和 R < 每個表面 0.5% @ 0.532 nm
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物理和光學特性
晶體結構
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三方晶系,空間群 R3c
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電池參數(shù)
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a = 0.515Å,c = 13.863Å,Z = 6Å
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熔點
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1255±5oC
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居里點
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1140±5oC
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莫氏硬度
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5
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密度
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4.64g/cm3
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吸收系數(shù)
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~ 0.1%/cm @1064nm
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溶解度:
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不溶于H2O
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相對介電常數(shù)
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eT11/e0:85
eT33/e0:29.5 |
熱膨脹系數(shù)(@25oC)
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||a,2.0 x 10-6/K
||c, 2.2 x 10-6/K |
熱導率
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38 W /m /K @ 25oC
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透明度范圍
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420 - 5200 nm
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光學均勻性
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約 5 x 10-5 /cm
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Sellmeier 方程(l 單位為毫米)
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no2(l)= 4.9048+0.11768/(λ2 -0.04750)-0.027169λ2
ne2(l)= 4.5820+0.099169/(λ2-0.04443)-0.021950λ2 |
NLO系數(shù)
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d33 = 34.4 pm/V
d31 = d15 = 5.95 pm/V d22 = 3.07 pm/V |
電光系數(shù)
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gT33 = 32 皮秒/伏,克S33 = 31 pm/V
gT31 = 10 pm/V,克S31 = 8.6 pm/V gT22 = 6.8 皮米/伏,克S22 = 3.4 pm/V |
半波電壓,直流
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電場||z,光^z 3.03 KV
電場||x或y,光||z 4.02 KV
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效率非線性光學系數(shù)
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d效果=5.7pm/V 或~14.6xd36(KDP)用于倍頻1300nm;
d效果=5.3pm/V 或~13.6xd36(KDP)用于在 1300nm 處泵浦的 OPO; d效果=17.6pm/V 或~45xd36(KDP)為準相位匹配結構; |
損傷閾值
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200 WM/cm2
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標準產品系列
MT- Optics,Inc. 可提供用于多種應用的 LiNbO3 產品,例如 EO 調制器、波導基板、倍頻器、SAW 晶片應用等。
1. 電光調制器
型號
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方面
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切
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涂層
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電極
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LNO001
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3x3x15mm
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Z形切割
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增透膜/增透膜@1064nm
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X 面上的 Au
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LNO002
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4x4x15mm
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Z形切割
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增透膜/增透膜@1064nm
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X 面上的 Au
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LNO003
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6x6x25mm
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Z形切割
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增透膜/增透膜@1064nm
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X 面上的 Au
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LNO004
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9x9x25mm
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Z形切割
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增透膜/增透膜@1064nm
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X 面上的 Au
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2. 波導基板
型號
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方面
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端面
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LNO101
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50x50x1mm
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一面拋光,反面精磨
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3. SAW晶片
型號
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方面
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厚度
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端面
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LNO201
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76.2mm
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0.5mm
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一面拋光,反面精磨
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注:還可根據(jù)要求提供127.86度Y切、Y切、Z切和其他切。
氧化鎂摻雜鈮酸鋰晶體
與LiNbO3晶體相比,MgO:LiNbO3晶體在Nd:激光器的NCPM倍頻(SHG)、混頻(SFG)和光參量振蕩器(OPO)中表現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。MgO:LiNbO3也是光參量振蕩器(OPO)和放大器(OPA)、準相位匹配倍頻器和集成波導的良好晶體。
MgO:LiNbO3 具有與純 LiNbO3 相似的有效非線性系數(shù)。其 Sellmeier 方程(MgO 摻雜量為 7 mol%)為:
no2=4.8762+0.11554/(λ2 -0.04674)-0.033119λ2
ne2=4.5469+0.094779/(λ2 - 0.04439) - 0.026721λ2
鉭酸鋰晶體
LiTaO3 晶體也廣泛用作電光調制器,具有 NLO 和 EO 特性
與 LiNbO3 相似,但損傷閾值更高(納秒脈沖時損傷閾值 >500 MW/cm)。